※ 방전침 사양에 따라 제품 형번이 다릅니다. ex.) Tungsten : SIB4-****H / Silicon : SIB4-****H-SI / Titanium : SIB4-****H-TI
※ 디자인 및 제품 사양은 품질향상을 위해 예고 없이 변경될 수 있습니다.
SIB4H Series
소켓 수량을 최대로 적용하여 풍부한 이온 생성량과 유량으로 빠른 제전 속도 및 장거리 제전이 가능하며 이온 발생 비율을 사용자가 설정할 수 있어 다양한 환경에 적용 가능한 제품입니다.
Key Features
- 소켓 수량을 최대로 적용하여 풍부한 이온 생성량과 유량으로 빠른 제전 속도 및 장거리 제전 가능
- 이온 발생 비율을 사용자가 설정 가능
- Ion Bar 간 전원 연결 (최대 4대 연결)
- 침 오염 방지를 위한 유체 역학 Nozzle Socket
- 방전침 교체 및 청소가 간편한 One-Touch 방식
- Air 소모량 최소화 실현(Socket의 설계혁신으로 최소유량 최대압력 실현)
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제품에 대한 문의사항이나 기술지원이 필요하신가요? 또는 궁금하신 점이 있으시다면 이곳에서 문의해 주세요.
| Parameter | Description / Value | |
|---|---|---|
| Input Power | DC 24V (±5%) | |
| Power Consumption | Max. 14.4W | |
| Current Consumption | Max. 500mA (DC 24V) | |
| Ion-Generation Method | Corona Discharge Pulse AC | |
| Air Purge Supply Pressure | 0.1 ~ 0.5MPa (CDA, N2) | |
| Air Purge Connection Port | Pipe Thread 1/8″ | |
| Ion Balance | Within ±30V (1,000mm) | |
| Ozone(O3) Concentration | ≤0.05ppm | |
| Main Body Material | Non-Flammable ABS (Level V0) | |
| Electrode Material | Standard | Tungsten |
| Option | Titanium, Silicon | |
| Electrode Replacement | Cartridge type | |
| Operation Circumstance | 0℃~+50℃(32℉~122℉), 35%~85% RH | |
| Mounting Method | Bolt Mounting with Bracket |
|
| Function | Remote Control | |
| Adjust Function | Frequency [Hz] | 0.1, 0.3, 1,3, 5, 8, 10, 20, 30, 35, 40, 45, 50 |
| Voltage [Level] | Positive 1~10 / Negative 1~10 |
|
| Duty Ratio [%] | 40~70 |
|
| Auto Duty | Mode Set (Distance 50~100mm) | |
| Alarm Function | High Voltage Abnormal Alarm, Tip Cleaning Alarm (Setting) |
|
| Interface | Run State, Remote, RS485, Alarm (High Voltage Abnormal, Tip Cleaning) |
|
| Operating Distance | 50 ~ 2,000mm | |
| Option | RMS (Real Monitoring System), SBP-RD (DC Power Supply) |
|
| Warranty | 1 year | |
Test Conditions
- Model : SIB4-1600H
- Socket : SIE-4
- Output Voltage : Pulse AC ±10.5kVp-p
- Air Pressure : 0.3MPa
- Decay Time : ±1,000V to ±100V
- Temperature & Humidity : 24℃ ± 1℃, 40% ± 2%RH
- Charge Plate Capacitance : 20pF ± 2pF (150 X 150mm)
- Frequency : 30Hz
MODEL / DIMENSIONS
| No. | Model No. | Tip Q¡¯TY | A | B | C | D | E | Middle BKT Q¡¯TY |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | SIB4-800H | 23 | 660 | 800 | 851 | 877 | 70 | - |
| 17 | SIB4-900H | 27 | 780 | 881 | 932 | 958 | 50.5 | - |
| 2 | SIB4-1000H | 31 | 900 | 1001 | 1052 | 1078 | 50.5 | 1 |
| 3 | SIB4-1100H | 35 | 1020 | 1121 | 1172 | 1198 | 50.5 | 1 |
| 4 | SIB4-1200H | 39 | 1140 | 1241 | 1292 | 1318 | 50.5 | 1 |
| 5 | SIB4-1300H | 43 | 1260 | 1361 | 1412 | 1438 | 50.5 | 1 |
| 7 | SIB4-1500H | 47 | 1380 | 1481 | 1532 | 1558 | 50.5 | 1 |
| 8 | SIB4-1600H | 51 | 1500 | 1601 | 1652 | 1678 | 50.5 | 1 |
| 9 | SIB4-1700H | 55 | 1620 | 1721 | 1772 | 1798 | 50.5 | 1 |
| 10 | SIB4-1800H | 59 | 1740 | 1841 | 1892 | 1918 | 50.5 | 2 |
| 11 | SIB4-2000H | 63 | 1860 | 1961 | 2012 | 2038 | 50.5 | 2 |
| 12 | SIB4-2100H | 67 | 1980 | 2081 | 2132 | 2158 | 50.5 | 2 |
| 13 | SIB4-2200H | 71 | 2100 | 2201 | 2252 | 2278 | 50.5 | 2 |
| 14 | SIB4-2300H | 75 | 2220 | 2321 | 2372 | 2398 | 50.5 | 2 |
| 15 | SIB4-2500H | 79 | 2340 | 2441 | 2492 | 2518 | 50.5 | 3 |
| 16 | SIB4-2700H | 87 | 2580 | 2681 | 2732 | 2758 | 50.5 | 3 |
- Features
-
SIB4H Series
소켓 수량을 최대로 적용하여 풍부한 이온 생성량과 유량으로 빠른 제전 속도 및 장거리 제전이 가능하며 이온 발생 비율을 사용자가 설정할 수 있어 다양한 환경에 적용 가능한 제품입니다.Key Features
- 소켓 수량을 최대로 적용하여 풍부한 이온 생성량과 유량으로 빠른 제전 속도 및 장거리 제전 가능
- 이온 발생 비율을 사용자가 설정 가능
- Ion Bar 간 전원 연결 (최대 4대 연결)
- 침 오염 방지를 위한 유체 역학 Nozzle Socket
- 방전침 교체 및 청소가 간편한 One-Touch 방식
- Air 소모량 최소화 실현(Socket의 설계혁신으로 최소유량 최대압력 실현)
다른 도움이 필요하십니까?
제품에 대한 문의사항이나 기술지원이 필요하신가요? 또는 궁금하신 점이 있으시다면 이곳에서 문의해 주세요. - Specification
-
Parameter Description / Value Input Power DC 24V (±5%) Power Consumption Max. 14.4W Current Consumption Max. 500mA (DC 24V) Ion-Generation Method Corona Discharge Pulse AC Air Purge Supply Pressure 0.1 ~ 0.5MPa (CDA, N2) Air Purge Connection Port Pipe Thread 1/8″ Ion Balance Within ±30V (1,000mm) Ozone(O3) Concentration ≤0.05ppm Main Body Material Non-Flammable ABS (Level V0) Electrode Material Standard Tungsten Option Titanium, Silicon Electrode Replacement Cartridge type Operation Circumstance 0℃~+50℃(32℉~122℉), 35%~85% RH Mounting Method Bolt Mounting with Bracket
Function Remote Control Adjust
FunctionFrequency [Hz] 0.1, 0.3, 1,3, 5, 8, 10, 20, 30, 35, 40, 45, 50
Voltage [Level]
Positive 1~10 / Negative 1~10
Duty Ratio [%]
40~70
Auto Duty Mode Set (Distance 50~100mm) Alarm Function
High Voltage Abnormal Alarm, Tip Cleaning Alarm (Setting)
Interface Run State, Remote, RS485, Alarm
(High Voltage Abnormal, Tip Cleaning)Operating Distance 50 ~ 2,000mm Option RMS (Real Monitoring System), SBP-RD (DC Power Supply)
Warranty 1 year ※ 방전침 사양에 따라 제품 형번이 다릅니다. ex.) Tungsten : SIB4-****H / Silicon : SIB4-****H-SI / Titanium : SIB4-****H-TI
※ 디자인 및 제품 사양은 품질향상을 위해 예고 없이 변경될 수 있습니다.
- Decay Time Characteristics
-
Test Conditions
- Model : SIB4-1600H
- Socket : SIE-4
- Output Voltage : Pulse AC ±10.5kVp-p
- Air Pressure : 0.3MPa
- Decay Time : ±1,000V to ±100V
- Temperature & Humidity : 24℃ ± 1℃, 40% ± 2%RH
- Charge Plate Capacitance : 20pF ± 2pF (150 X 150mm)
- Frequency : 30Hz
- Dimensions
-
MODEL / DIMENSIONS
No. Model No. Tip Q¡¯TY A B C D E Middle BKT Q¡¯TY 1 SIB4-800H 23 660 800 851 877 70 - 17 SIB4-900H 27 780 881 932 958 50.5 - 2 SIB4-1000H 31 900 1001 1052 1078 50.5 1 3 SIB4-1100H 35 1020 1121 1172 1198 50.5 1 4 SIB4-1200H 39 1140 1241 1292 1318 50.5 1 5 SIB4-1300H 43 1260 1361 1412 1438 50.5 1 7 SIB4-1500H 47 1380 1481 1532 1558 50.5 1 8 SIB4-1600H 51 1500 1601 1652 1678 50.5 1 9 SIB4-1700H 55 1620 1721 1772 1798 50.5 1 10 SIB4-1800H 59 1740 1841 1892 1918 50.5 2 11 SIB4-2000H 63 1860 1961 2012 2038 50.5 2 12 SIB4-2100H 67 1980 2081 2132 2158 50.5 2 13 SIB4-2200H 71 2100 2201 2252 2278 50.5 2 14 SIB4-2300H 75 2220 2321 2372 2398 50.5 2 15 SIB4-2500H 79 2340 2441 2492 2518 50.5 3 16 SIB4-2700H 87 2580 2681 2732 2758 50.5 3 - Download